但这会稍微拖慢进度，也增加了晶圆受损的风险。

一波未平，一波又起。

“神笔项目，Via 2（第二层通孔）阵列，抽样电测试显示，部分通孔接触电阻异常偏高，超出规格上限30％。”

测试工程师报告。

通孔接触电阻高，意味着金属层之间连接不良，信号延迟增加，功耗上升，严重时会导致功能错误。

“检查通孔刻蚀和填充工艺的均匀性数据。”

祁同伟沉声道，

“还有，核对一下这个区域的版图设计，通孔密度和周围金属线间距是否符合‘麒麟’线当前工艺能力给出的设计规则（DRC）？”

设计团队的一名成员立刻调出版图，与最新的工艺设计规则手册进行比对。

几分钟后，他脸色有些发白：

“祁总，这个区域……我们为了追求布线密度，通孔阵列的间距，用了设计规则允许的最小值。

但‘麒麟’线目前对高密度通孔的工艺控制能力，可能比规则手册给出的理论值要弱一些，存在波动……”

这是一个典型的设计与工艺协同问题。

设计团队在追求性能时，压榨了工艺的极限，

而实际生产线的工艺控制精度，没有完全达到设计时的乐观预期。

“修改光罩（Mask）是来不及了。”

祁同伟快速决断，

“工艺上，有没有办法通过调整通孔刻蚀的过刻蚀量（Overetch）或者后续退火工艺，

来改善接触，哪怕牺牲一点点深度？”

工艺工程师们紧急讨论。

“可以尝试微调刻蚀配方，增加一点各向异性，减少侧壁残留。

退火温度也可以稍微提高，促进金属扩散，但要注意不要影响其他器件……”

“去做！在后续批次中立刻实施优化。

当前这批，标记出接触电阻异常的芯片，后续测试重点关注。”

祁同伟拍板。

流片过程，就是在不断出现的小问题、小惊吓中，惊心动魄地推进。

每一天，控制室里都弥漫着硝烟味。